推挽工作原理：由電源IC發(fā)出占空比信號(hào)，也就是這個(gè)方波，通過(guò)電阻限流到達(dá)三極管的基極：上管是npn下管是pnp。

當(dāng)信號(hào)為高電平輸出到達(dá)三極管基極時(shí)，Q1導(dǎo)通，（npn在高電平時(shí)導(dǎo)通），隨后MOS管導(dǎo)通。

當(dāng)輸出低電平時(shí)，上管Q1截止，Q2導(dǎo)通（pnp是低電平導(dǎo)通），隨后MOS管通過(guò)電阻放電到地，最后截止。

也就是說(shuō)，通過(guò)兩個(gè)三極管輪流工作來(lái)進(jìn)行一推一挽，來(lái)達(dá)到推挽的功能。

這里的R1的作用是用來(lái)確定開(kāi)機(jī)時(shí)候的初始電位，以防開(kāi)機(jī)誤觸發(fā)mos管，以及關(guān)機(jī)放電。

那R2呢？

通常會(huì)使用推挽電路是因?yàn)?，有時(shí)一些IC或者CPU的電流比較小，不足以驅(qū)動(dòng)MOS管，所以加入推挽來(lái)增加驅(qū)動(dòng)能力。

那為什么MOS管是壓控性器件，還需要考慮電流大小進(jìn)行驅(qū)動(dòng)？

這是一個(gè)IC直接驅(qū)動(dòng)電路：

首先需要從IC手冊(cè)中了解它最大的峰值驅(qū)動(dòng)電流（不同IC芯片驅(qū)動(dòng)能力不同），C1、C2決定了MOS管被驅(qū)動(dòng)時(shí) 的導(dǎo)通速度。

當(dāng)IC電流比較小時(shí)，C1 C2會(huì)比較大，這時(shí)MOS管的驅(qū)動(dòng)速度會(huì)變慢，在有些電路中是不適應(yīng)的。

原因很簡(jiǎn)單,這是因?yàn)?/span>MOS管的輸入電容CGS和CGD這兩個(gè)電容和芯片的面積有一定關(guān)系，MOS管本質(zhì)上雖然是壓控型器件，但柵極電位的上升與下降本質(zhì)上是對(duì)CGS、CGD電容的充放電速度。

因此當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，就需要利用推挽來(lái)進(jìn)行放大電流了。