超結(jié)MOS是英文Super Junction 的直譯也叫Cool MOS是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的MOS管。

超結(jié)MOS是在提高NEPI的摻雜濃度的同時(shí),利用在NEPI中加入P柱,形成更大的PN結(jié),在器件返偏時(shí),形成很厚的PN耗盡層,以達(dá)到高的隔離電壓。
超結(jié)MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場(chǎng)合使用。
超結(jié)MOSFET有哪些優(yōu)點(diǎn)呢?
1、超結(jié)MOSFET與傳統(tǒng)的VDMOS相比,具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快、芯片體積小、發(fā)熱低的特點(diǎn)。
一般來(lái)說(shuō),相同電流、電壓規(guī)格的超結(jié)MOSFET導(dǎo)通電阻僅為傳統(tǒng)VDMOS的一半左右,器件開(kāi)通和關(guān)斷速度較傳統(tǒng)VDMOS下降30%以上。這些特點(diǎn)可以使超結(jié)MOSFET在替代傳統(tǒng)VDMOS時(shí)具有更好的溫升和效率表現(xiàn),一般來(lái)說(shuō),使用超結(jié)MOSFET后,電源效率可以上升1~2百分點(diǎn)。同時(shí)超結(jié)MOSFET也完全可以與驅(qū)動(dòng)IC一起進(jìn)行集成封裝,大幅度降低產(chǎn)品體積。
2、 超級(jí)結(jié)具有更小的結(jié)電容。對(duì)超級(jí)結(jié)器件而言,電阻的減小會(huì)帶來(lái)明顯的好處,例如在相同RDS(on)下的更低導(dǎo)通損耗或更小管芯。
另外,芯片面積的減小會(huì)導(dǎo)致更低的結(jié)電容以及柵極和輸出電荷,這可減小動(dòng)態(tài)損耗。在低壓溝槽式或平面式MOS管中,通常需要考慮以更高結(jié)電容為讓步條件來(lái)降低RDS(on)。在超級(jí)結(jié)技術(shù)情況下,讓步程度是最小的。電荷平衡機(jī)制可同時(shí)減小RDS(on)和器件結(jié)電容,使之成為一種雙贏解決方案。
凌訊微提供多種Cool MOS型號(hào)供選擇,具有內(nèi)阻低、抗沖擊能力強(qiáng)、結(jié)電容低、品質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)。



